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informação é escrita em defeitos atômicos opticamente ativos por um feixe de íons focado (esquerda), e lida usando fotoluminescência (direita) - tudo em 4D. A equipe de pesquisa internacional propõe um novo conceito de armazenamento de dados a longo prazo baseado em defeitos em escala atômica em um material sólido. Esses "defeitos" - que são os bits - são criados e "ativados" por um feixe de íons, proporcionando alta resolução espacial, velocidade de gravação muito rápida e baixo consumo de energia. As memórias magnéticas são a principal escolha quando se trata de soluções de armazenamento de dados que visam grandes capacidades, mas as tentativas de superar os desafios estabelecidos pela física têm resultado em um aumento desproporcional no consumo de energia. A gravação dos dados é multidimensional, ou 4D. A equipe propõe uma gravação ótica multidimensional, migrando para bits em escala atômica no interior de um material sólido, evitando componentes ultraminiaturizados, bits magnéticos e tecnologias mecânicas que se desgastam rapidamente. O carbeto de silício é o material semicondutor bem conhecido que apresenta defeitos em escala atômica, especialmente a ausência de átomos de silício em pontos da rede cristalina. Esses defeitos podem ser usados como bits, sendo facilmente criados e ajustados por um feixe focado de prótons ou íons de helio. O limite de difração da densidade de armazenamento inerente à média ótica também se aplica ao nosso caso, e é superado com esquemas de codificação 4D. A densidade de armazenamento por área pode ser significativamente melhorada usando excitação por feixe de elétrons focalizada, causando catodoluminescência observável. Como estamos armazenando informações cruciais para a humanidade, todos os riscos devem ser considerados. E, claro, há o risco de que os bits no material sólido sejam danificados por condições ambientais em que o meio é guardado.

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