A
equipe de pesquisa liderada por See-On Park e colegas do Instituto Avançado de Ciência e Tecnologia da Coreia do Sul (KAIST) desenvolveu uma nova família de memórias de mudança de fase com um consumo de energia ultrabaixo, baixo o suficiente para substituir as memórias DRAMs e flash atuais. Essas memórias são difíceis de fabricar e caras, mas a equipe conseguiu resolver esses problemas formando eletricamente um filamento de fase em escala nanométrica, que é fácil de fazer mesmo em escala industrial. A equipe também criou um método para formar eletricamente os materiais de mudança de fase em áreas extremamente pequenas, o que não alcançou a meta de miniaturização, mas resultou em células de memória que consumem 15 vezes menos energia do que as versões atuais fabricadas com a técnica de litografia. A equipe espera que os resultados sejam a base da futura engenharia eletrônica, permitindo diversas aplicações, incluindo memórias verticais tridimensionais de alta densidade e sistemas de computação neuromórfica.

Ver notícia completa...